网易财经10月21日讯 广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光 芯片 产业创新发展行动方案(2024—2030年)》。其中提到，推进光芯片关键装备研发制造。大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代。落实工业设备更新改造政策，加快光芯片关键设备更新升级。
广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案 （2024—2030年）
光芯片是实现光电信号转换的基础元器件，相较于集成电路展现出更低的传输损耗、更宽的传输带宽、更小的时间延迟以及更强的抗电磁干扰能力，有望带动半导体产业变革式发展，有力支撑新一代网络通信、人工智能、智能网联汽车等产业高质量发展。为加快培育发展光芯片产业，力争到2030年取得10项以上光芯片领域关键核心技术突破，打造10个以上“拳头”产品，培育10家以上具有国际竞争力的一流领军企业，建设10个左右国家和省级创新平台，培育形成新的千亿级产业集群，建设成为具有全球影响力的光芯片产业创新高地，制定本行动方案。
一、重点任务
（一）突破产业关键技术。
1. 强化光芯片基础研究和原始创新能力。 鼓励有条件的企业、高校、科研院所等围绕单片集成、光子计算、超高速光子网络、柔性光子芯片、片上光学神经网络等未来前沿科学问题开展基础研究。支持科技领军企业、高校、科研院所积极承担国家级光芯片相关重大攻关任务，形成一批硬核成果。（ 省科技厅 、发展改革委、教育厅、工业和信息化厅，省科学院、中国科学院广州分院，各地级以上市人民政府等按职责分工负责，以下均需各地级以上市人民政府参与，不再列出）
2. 省重点领域研发计划支持光芯片技术攻关。 加大对高速光通信芯片、高性能光传感芯片、通感融合芯片、薄膜铌酸锂材料、磷化铟衬底材料、有机半导体材料、硅光集成技术、柔性集成技术、磊晶生长和外延工艺、核心半导体设备等方向的研发投入力度，着力解决产业链供应链的“卡点”“堵点”问题。（省科技厅、发展改革委、教育厅、工业和信息化厅，省科学院、中国科学院广州分院等按职责分工负责）
3. 加大“强芯”工程对光芯片的支持力度。 扩大省级科技创新战略专项、制造业当家重点任务保障专项等支持范围，将面向集成电路产业底层算法和架构技术的研发补贴、量产前首轮流片奖补等产业政策，扩展至光芯片设计自动化软件（PDA工具）、硅光MPW流片等领域，强化光芯片领域产品研发和产业化应用。（省工业和信息化厅、发展改革委、教育厅、科技厅，省科学院、中国科学院广州分院等按职责分工负责）
（二）加快中试转化进程。
4. 加快建设一批概念验证中心、研发先导线和中试线。 支持企业、高校、科研院所等围绕高速光通信芯片、高性能光传感芯片、红外光传感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜铌酸锂、化合物半导体、硅基（异质异构）集成、光电混合集成等领域，建设概念验证中心、研发先导线和中试线，加快科技成果转化进程。（省发展改革委、教育厅、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
5. 支持中试平台积极发挥效能。 支持中试平台围绕光芯片相关领域，向中小企业提供原型制造、质量性能检测、小批量试生产、工艺放大熟化等系列服务，推动新技术、新产品加快熟化。鼓励综合性专业化中试平台为光芯片领域首台套装备、首批次新材料等提供验证服务，符合条件的依法依规给予一定政策和资金支持。（省发展改革委、教育厅、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
6. 鼓励中试平台孵化更多创新企业。 鼓励中试平台搭建众创空间、孵化器、加速器等各类孵化载体，并通过许可、出售等方式将成熟技术成果转让给企业，或将部分成果通过设立子公司的方式实现商业化，孵化培养更多光芯片领域新物种企业。（省发展改革委、教育厅、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
（三）建设创新平台体系。
7. 聚焦前沿技术领域建设一批战略性平台。 依托企业、高校、科研院所、新型研发机构等各类创新主体，布局建设一批光芯片领域共性技术研发平台，主要聚焦基础理论研究和新兴技术、颠覆性技术攻关，加快形成前沿性、交叉性、颠覆性技术原创成果，实现更多“从0到1”的突破。（省科技厅、发展改革委、教育厅、工业和信息化厅，省科学院、中国科学院广州分院等按职责分工负责）
8. 聚焦产业创新领域培育一批专业化平台。 引进国内外战略科技力量，培育一批产业创新中心、技术创新中心、制造业创新中心、企业技术中心、工程研究中心、重点实验室等创新平台，主要聚焦光芯片关键细分环节，加快技术创新和产业孵化，不断提升细分领域产业优势。（省发展改革委、教育厅、科技厅、工业和信息化厅，省科学院、中国科学院广州分院等按职责分工负责）
9. 聚焦专业化服务领域建设一批服务类平台。 围绕研发设计、概念验证、小试、中试、检验检测、知识产权、人才培养等专业化服务领域，打造一批促进光芯片产业创新发展的公共服务平台，强化创新成果转化水平和专业化服务能力。（省发展改革委、教育厅、科技厅、工业和信息化厅，省科学院、中国科学院广州分院等按职责分工负责）
（四）推动产业集聚发展。
10. 强化光芯片产业系统布局。 强化我省光芯片产业总体发展布局，支持有条件的地市研究出台关于发展光芯片产业的专项规划，加快引进国内外光芯片领域高端创新资源，形成差异化布局。（省发展改革委、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
11. 聚焦特色优势领域打造产业集群。 支持广州、深圳、珠海、东莞等地发挥半导体及集成电路产业链基础优势，结合本地区当前发展人工智能、大模型、新一代网络通信、智能网联汽车、数据中心等产业科技的需要，加快培育光通信芯片、光传感芯片等产业集群，打造涵盖设计、制造、封测等环节的光芯片全产业链，积极培育光计算芯片等未来产业。（省发展改革委、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
12. 支持各地规划建设光芯片专业园区。 支持广州、深圳、珠海、东莞等地依托半导体及集成电路产业集聚区，规划建设各具特色的光芯片专业园区。（省发展改革委、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
（五）大力培育领军企业。
13. 支持引进和培育一批领军企业。 围绕光芯片关键细分领域和产业链重点环节，引进一批汇聚全球资源、在细分领域占据引领地位的领军企业和新物种企业。支持有条件的光芯片企业围绕产业链重点环节进行并购整合，加快提升业务规模。（省发展改革委、教育厅、科技厅、工业和信息化厅、商务厅等按职责分工负责）
14. 支持孵化和培育一批科技型初创企业。 支持龙头企业与国内外企业、高等院校、研究机构联合搭建未来产业创新联合体，探索产学研协同攻关和产业链上下游联合攻关，孵化和培育一批科技型初创企业。鼓励半导体及集成电路头部企业发挥产业基础优势，延伸布局光芯片相关领域。（省发展改革委、教育厅、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
15. 支持龙头企业加强在粤布局。 支持光芯片龙头企业加大在粤的研发和产线布局，加快形成光芯片产业集群。支持外资光芯片企业布局建设企业技术中心、工程研究中心、工程技术研究中心等各类平台，进一步强化光芯片领域科技创新能力。（省发展改革委、教育厅、科技厅、工业和信息化厅、商务厅等按职责分工负责）
（六）加强合作协同创新。
16. 积极争取国家级项目。 积极对接国家集成电路战略布局，争取一批国家级光芯片项目落地广东。（省发展改革委、教育厅、科技厅、工业和信息化厅、商务厅等按职责分工负责）
17. 积极对接港澳创新资源。 加强与香港、澳门高等院校、科研院所的协同创新，对接优质科技成果、创新人才和金融资本，加快导入并形成一批技术创新和产业创新成果。（省发展改革委、教育厅、科技厅、工业和信息化厅、商务厅等按职责分工负责）
18. 积极对接国内外其他区域创新资源。 加强与京津冀、长三角等国内先进地区企业、机构交流合作，探索开展跨区域协同合作，加强导入优质研发资源和产业资源。建立与国际知名高校、研发机构、技术转移机构等各类创新主体的交流合作机制，加强技术和人员交流，不断提升区域辐射力和行业影响力。（省发展改革委、教育厅、科技厅、工业和信息化厅、商务厅按职责分工负责）
二、重点工程
（一）关键材料装备攻关工程。
19. 加快开展光芯片关键材料研发攻关。 大力支持硅光材料、化合物半导体、薄膜铌酸锂、氧化镓薄膜、电光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光学传感材料、电光拓扑相变材料、光刻胶、石英晶体等光芯片关键材料研发制造。（省科技厅、发展改革委、工业和信息化厅等按职责分工负责）
20. 推进光芯片关键装备研发制造。 大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代。落实工业设备更新改造政策，加快光芯片关键设备更新升级。（省科技厅、发展改革委、工业和信息化厅等按职责分工负责）
21. 支持光芯片相关部件和工艺的研发及优化。 大力支持收发模块、调制器、可重构光神经网络推理器、PLC分路器、AWG光栅等光器件及光模块核心部件的研发和产业化。支持硅光集成、异质集成、磊晶生长和外延工艺、制造工艺等光芯片相关制造工艺研发和持续优化。（省科技厅、发展改革委、工业和信息化厅等按职责分工负责）
（二）产业强链补链建设工程。
22. 加强光芯片设计研发。 鼓励有条件的机构对标国际一流水平，建设光芯片设计工具软件及IP等高水平创新平台，构建细分领域产业技术创新优势。支持光芯片设计企业围绕光通信互连收发芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探测芯片、短波红外有机成像芯片、TOF/FMCW激光雷达芯片、3D视觉感知芯片等领域加强研发和产业化布局。（省发展改革委、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
23. 加强光芯片制造布局。 在符合国家产业政策基础上，大力支持技术先进的光芯片IDM（设计、制造、封测一体化）、Foundry（晶圆代工）企业，加大基于硅基、锗基、化合物半导体、薄膜铌酸锂等平台材料，以及各类材料异质异构集成、多种功能光电融合的光芯片、光模块及光器件的产线和产能布局。（省发展改革委、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
24. 提升光芯片封装水平。 大力发展片上集成、3D堆叠、光波器件与光芯片的共封装（CPO）以及光I/O接口等先进封装技术，紧贴市场需求推动光芯片封装测试工艺技术升级和能力提升。（省发展改革委、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
（三）核心产品示范应用工程。
25. 加强光芯片产品示范应用。 大力支持光芯片在新一代信息通信、数据中心、智算中心、生物医药、智能网联汽车等产业的场景示范和产品应用。培育更多应用场景，加大光芯片产品在信息传输、探测、传感等领域的应用，推动相关领域半导体产品升级换代。（省发展改革委、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
（四）前沿技术产业培育工程。
26. 围绕光芯片前沿理论和技术问题开展基础攻关和研发布局。 支持企业、高校、研究机构等围绕光神经网络芯片、光量子芯片、超灵敏光传感探测芯片、光电异质异构混合集成芯片、微腔光电子芯片、幂次增长算力光芯片等技术领域研发布局，努力实现原理性突破、原始性技术积累和开创性突破。（省科技厅、发展改革委、教育厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
三、保障措施
（一）强化组织领导。 由省半导体及集成电路产业发展领导小组统筹推进全省光芯片产业布局，整合各方资源，协调解决重大问题。省相关部门及各有关地市，明确工作职责，加大政策支持力度，形成省市联动工作合力，谋划布局标志性项目、专业化园区和重大创新平台。探索建立光芯片产业战略咨询机制，加大对光芯片整体发展趋势、国际形势变化、主要技术走向等基础研判，开展前瞻性、战略性重大问题研究，逐步形成支撑光芯片未来产业发展的产业体系。（省发展改革委、科技厅、工业和信息化厅等按职责分工负责）
（二）强化资金支持。 统筹用好现有专项资金支持光芯片产业发展，在基础研究、成果转化、推广应用、龙头企业招引、人才引进等方面给予稳定资金支持。鼓励科研人员围绕光芯片前沿技术领域自主选题、自主研发，加快形成前沿性、交叉性、颠覆性技术原创成果。推动省内企业、高校、科研院所等各类创新主体在国家未来产业领域重大专项等政策实施中承担一批国家级重大项目，加快科技创新和成果转化。发挥省基金及地市相关投资基金的引导作用，鼓励社会资本以股权、债券、保险等形式支持光芯片产业发展。（省发展改革委、科技厅、工业和信息化厅、财政厅、商务厅等按职责分工负责）
（三）强化试点示范。 积极吸引国内外光芯片龙头企业在粤设立总部、投资建设重大项目，建立重大项目投资决策和快速落地联动响应机制。将光芯片重大项目优先列入省重点建设项目计划，对符合条件的项目需要新增建设用地的由省统筹安排用地指标。统筹用好已有专项资金，对投资额度较大的光芯片项目，以及产业带动作用明显的光芯片领域国家级公共服务平台、创新平台予以支持。加大光芯片产业应用场景试点示范，加快开展重点项目应用场景示范和市场验证。（省发展改革委、科技厅、工业和信息化厅、财政厅、自然资源厅、商务厅等按职责分工负责）
（四）强化资源保障。 统筹全省人才引进专项资源，大力引进一批光芯片领域“高精尖缺”人才。创新引进人才机制，鼓励有条件的高校、科研院所完善相关领域教学资源和实践平台，深化产学研合作协同育人，加快培养满足产业发展急需的创新型人才。支持举办具有国际影响力的大型学术研讨会、合作推介会、产业技术论坛及年度峰会等主体活动，通过供需对接、技术交流、合作转化等手段加速推动光芯片产业发展，引导社会力量积极关注和大力支持光芯片产业的培育和发展。（省发展改革委、省委金融办、省教育厅、省科技厅、省工业和信息化厅、省人力资源社会保障厅、省商务厅、广东金融监管局、广东证监局等按职责分工负责）
刻蚀设备：仅次于光刻机的半导体制造核心工艺 迎国产爆发机遇？
半导体制造三大核心工艺之一的刻蚀设备，其价值量占比达到了22%，仅次于光刻机，正迎市场增长和国产化双机遇共振。 刻蚀设备是集成电路制造过程中的关键设备，价值占比达60%以上。 国际最先进芯片产线需要百亿美元投资，其中70%以上用于购买设备，刻蚀设备是重要性仅次于光刻机的设备。 刻蚀设备结构解析、工作原理和市场格局、国产化机遇等关键点，值得深入探讨。 刻蚀设备是集成电路制造过程中的重要一环，其功能是在晶圆表面去除不必要的材质。 根据被刻蚀材料的不同，刻蚀可分为介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀。 根据产生等离子体方法的不同，分为电容性等离子体刻蚀（CCP）和电感性等离子体刻蚀（ICP）。 其中CCP刻蚀主要是介质刻蚀，即高能离子在较硬的介质材料上刻蚀高深宽比的深孔、深沟等微观结构。 而ICP刻蚀主要是硅刻蚀和金属刻蚀，即以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的和较薄的材料。 在当下，逻辑芯片的不断突破和先进工艺的刻蚀次数的提升，对刻蚀设备的数量和质量提出了更高的要求。 更小的制程是集成电路研发生产的不懈追求，工艺越先进，晶体管栅极宽度纳米数越小，芯片的性能也将随之提升。 当前国际上高端量产芯片从7nm向5nm、3nm甚至更小的尺寸发展，其核心工艺必须借助刻蚀机的多次刻蚀来实现。 据国际半导体产业协会测算，一片7nm集成电路所经历刻蚀工艺140次，较28nm生产所需的40次增加2.5倍。 此外，更多的步骤、更小的尺寸以及不同的材料对刻蚀机的数量、精度、重复性等都提出更高的要求。 对于中国大陆逻辑电路制造而言，先进制程的主流工艺是FinFET工艺，受制于部分设备能力，国内先进制程的发展目前还需要依赖多重曝光实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的需求数量和重要性进一步提升。 除此之外基于金属硬掩模的双大马士革等工艺也提高了刻蚀的难度，相应的刻蚀机制造的难度也随之增加。 在3DNAND存储芯片堆叠层数不断增长，涉及的刻蚀步骤繁多，对设备的性能及数量都提出需求。 基于NAND闪存芯片的产品能够快速处理数据，是当今存储卡、USB、固态硬盘等数字数据存储方式背后的核心元件。 当下主流的3DNAND存储是在垂直层面上增加存储单元，从而倍数扩张晶圆上的单元数量，增大存储容量。 3DNAND的构建极大程度上依赖沉积和刻蚀工艺，无论是已经投入量产的64层和128层，还是正在研发中的超300层3DNAND，都是增加了堆叠的层数，这对刻蚀设备的深宽比提出了要求。 此外在现有技术下，堆叠层数越高，重复工艺次数越多，沟道孔洞等非重复性节点单次操作耗时更长，导致部分加工节点对刻蚀设备的需求可随堆叠层数的增加而同比例增长。 3DNAND的技术发展将为刻蚀设备的需求带来新的增长动力。 在新的自主可控背景下，国产设备在内资晶圆厂的渗透率正在快速提升，目前替代空间巨大。 刻蚀设备市场格局高度集中，海外三大厂商寡头垄断，占据总市场份额的90%。 不过，根据中国海关进口数据显示，2017年以来，刻蚀机进口数量在2021年达到巅峰，2022年受到行业周期以及相关出口禁令的影响出现下滑，同时也反映了国产刻蚀设备逐渐满足我国晶圆厂的生产需求，在出厂数量和技术水平上均有所提升。 2023年下半年进口数量未见明显增加但单机价格呈现翻倍的增长，机构判断进口设备多集中在一些高技术壁垒高价值量的工艺环节。 并且，已经有不少国产企业在技术、订单方面有较为明显的突破。 例如，中微公司自主开发了极高深比刻蚀机，应用于3DNAND芯片制造环节，满足更高深宽比的刻蚀设备正在研发中。 北方华创则是国内ICP刻蚀设备龙头，实现CCP刻蚀设备突破。 屹唐股份作为进行刻蚀设备业务拓展的公司，面向全球经营的半导体设备公司，提供包括干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备在内的集成电路制造设备及配套工艺解决方案。 整体而言，刻蚀设备市场空间巨大，技术升级和国产化趋势明显，随着技术的不断进步和市场的不断增长，刻蚀设备行业前景广阔。
传感器赛道国产替代快速发展及MEMS芯片工艺介绍
在中秋国庆佳节之际，中国传感器行业的两大国产巨头——安培龙与开特股份相继在短短两天内成功上市，其中比亚迪成为他们的最大客户。 这标志着国产传感器在新能源汽车市场中的迅速崛起和替代趋势，尤其在比亚迪对传感器技术的严苛要求下，安培龙与开特股份凭借深厚的技术积累和创新突破，得以跻身其精密供应链，如安培龙的温度-压力一体传感器，对营收增长做出了显著贡献。 安培龙与开特股份凭借核心专利技术，打破国际垄断，成为陶瓷电容式压力传感器和车用温度传感器领域的领头羊，成功纳入比亚迪、上汽等国内外知名车企的供应链。 它们填补了国内市场的空白，推动了国产汽车传感器市场的繁荣，从2017年的157.3亿人民币增长到2021年的263.9亿，预计未来将持续扩大。 国内MEMS传感器领导者美泰电子，已实现百万量级的车载应用，显示出国产厂商在这一领域的强大实力。 在车身感知和车载电子MEMS领域，国内厂商如歌尔股份、瑞声科技、明皜传感、芯动联科等加速布局。 其中，瑞声科技和歌尔股份在声学和传感器细分市场已取得显著进步。 展望未来，到2028年，汽车电子MEMS市场将迎来爆发式增长，国产厂商在激光雷达、毫米波雷达和摄像头市场崭露头角，如禾赛科技和图达通等，尽管国际巨头在某些领域依然占据主导，但国产企业正在不断突破和巩固地位。 国内传感器厂商在自主研发和客户支持的双重驱动下，正推动国产化替代进程。 MEMS工艺作为传感器产业的基石，其核心包括外延、氧化、溅射、蒸发等沉积技术，以及光刻和刻蚀等精密工艺。 例如，外延技术用于硅层生长和掺杂，异质外延在蓝宝石上生长硅受限于厚度和性能；而光刻则涉及护罩版、光刻胶的选择以及不同曝光模式对薄膜的影响。 刻蚀工艺则有湿法、干法之分，如电化学、等离子刻蚀等，以适应各种材料和结构的精确切割。 沉积技术中，蒸发和化学气相沉积（CVD）如CVD-Si、PECVD-SiN等，其参数调整对薄膜性能至关重要。 特别是PECVD，利用等离子体增强反应实现室温沉积，其功率和频率影响反应效果。 CVD多晶硅沉积技术可用于微加工，如LPCVD和低温PECVD，影响薄膜结构和生长速率。 光刻工艺，无论是接触、接近还是投影模式，对分辨率和材料敏感度有着严格要求。 掩膜版、光刻胶的选择以及显影步骤都直接影响到微纳结构的精确制备。 在硅微电子中，刻蚀技术的抉择直接影响到器件性能，湿法刻蚀适合大规模生产，干法刻蚀则提供了更高的选择性和精确度，如博世工艺的DRIE，适合深槽结构的制造。 中国半导体材料国产化进程加速，华为等品牌的成功突破提振了市场信心。 行业盛会如2023（第一届）半导体及高端电子用胶粘材料创新论坛将汇聚国际国内顶尖企业与学界力量，共同探索新材料和工艺的解决方案，推动产业的创新和发展。 深圳的BEST等公司专注于为高端市场提供定制化材料应用，顺应新兴产业的多元化需求。
传感器赛道国产替代快速发展及MEMS芯片工艺介绍
1. 在中秋国庆佳节期间，中国传感器行业的两大国产巨头——安培龙与开特股份成功上市，比亚迪成为它们的最大客户。 2. 这表明国产传感器在新能源汽车市场中快速崛起，并呈现出替代外国产品的趋势。 3. 特别是比亚迪对传感器技术有严格的要求，安培龙与开特股份凭借深厚的技术积累和创新突破，成功进入其精密供应链。 4. 安培龙的温度-压力一体传感器对营收增长做出了显著贡献。 5. 安培龙与开特股份凭借核心专利技术，打破了国际垄断，成为陶瓷电容式压力传感器和车用温度传感器领域的领导者。 6. 它们成功纳入了比亚迪、上汽等国内外知名车企的供应链，填补了国内市场的空白，推动了国产汽车传感器市场的繁荣。 7. 从2017年的157.3亿人民币增长到2021年的263.9亿，预计未来将继续扩大。 8. 国内MEMS传感器领导者美泰电子，已实现百万量级的车载应用，显示出国产厂商在这一领域的强大实力。 9. 在车身感知和车载电子MEMS领域，国内厂商如歌尔股份、瑞声科技、明皜传感、芯动联科等正在加速布局。 10. 其中，瑞声科技和歌尔股份在声学和传感器细分市场已取得显著进步。 11. 展望未来，到2028年，汽车电子MEMS市场将迎来爆发式增长，国产厂商在激光雷达、毫米波雷达和摄像头市场崭露头角。 12. 尽管国际巨头在某些领域依然占据主导，但国产企业正在不断突破和巩固地位。 13. 国内传感器厂商在自主研发和客户支持的双重驱动下，正推动国产化替代进程。 14. MEMS工艺作为传感器产业的基石，其核心包括外延、氧化、溅射、蒸发等沉积技术，以及光刻和刻蚀等精密工艺。 15. 例如，外延技术用于硅层生长和掺杂，异质外延在蓝宝石上生长硅受限于厚度和性能。 16. 光刻工艺，无论是接触、接近还是键局投影模式，对分辨率和材料敏感度有着严格要求。 17. 刻蚀技术的选择直接影响到器件性能，湿法刻蚀适合大规模生产，干法刻蚀则提供了更高的选择性和精确度。 18. 中国半导体材料国产化进程加速，华为等品牌的成功突破提振了市场信心。 19. 行业盛会如2023（第一届）半导体及高端电子用胶粘材料创新论坛将汇聚国际国内顶尖企业与学界力量，共同探索新材料和工艺的解决方案。 20. 深圳的BEST等公司专注于为高端市场提供定制化材料应用，顺应新兴产业的多元化需求。
