什么是散热片材质，计算机专业术语名词解释
一般说来，铜质的散热片，其导热速度要比铝材的散热片大，散热效果更好一些，但因为加工难度较高，同时成本也比较昂贵，所以真正优秀的且价格适中的纯铜散热器并不多。
而且铜质散热片也有它的毛病，那就是重量过大(很多风扇都超过了CPU对重量的限制)，而且热容量也小一些(就是说在关机之后，铜散热片也不能将CPU储存的热量带走)，所以对于普通用户而言，用铝材散热片已经足以达到散热需求了。
PC中的问题
内存方面的东西，自己看吧AGP(Accelerated Graphics Port) －图形加速接口 Intel开发的用于提高图形处理速度的接口。
它可以让图形的数据流直接在显卡主控芯片和内存之间通信，不必经过显存。
Access Time－存取时间 RAM 完成一次数据存取所用的平均时间（以纳秒为单位）。
存取时间等于地址设置时间加延迟时间（初始化数据请求的时间和访问准备时间）。
Address-地址 就是内存每个字节的编号。
目的是按照该编号准确地到该编号的内存去存取数据。
ANSI (American National Standards Institute) 美国国家标准协会 - 一个专门开发非官方标准的非赢利机构，其目的在于提高美国工业企业的生产率和国际竞争力。
ASCII （American Standard Code for Information Interchange） 美国信息互换标准代码--将文本编码为二进制数的一种方法。
ASCII 编码体系采用了8位二进制数的256种组合，来映射键盘的所有按键。
用于数据处理系统，数据通讯系统及相应设备中进行信息交换。
ASCII字符集由控制字符和图形字符组成。
Async SRAM-异步静态内存 一种较为陈旧的SRAM，通常用来做电脑上的Level 2 Cache。
BSB (Backside Bus) 后端总线- CPU 和 L2 cache 之间的数据通道。
Bandwidth－带宽 1、 传输数据信息的能力。
信息交换的形式多种多样，可以通过但根电线，也可以通过总线或信道的并行线。
一言以蔽之，就是单位时间内数据的移动量，通常用位/ 秒、字节/秒或赫兹（周/秒）表示。
2、 内存的数据带宽：一般指内存一次能处理的数据宽度，也就是一次能处理若干位的数据。
30线内存条的数据带宽是8位，72线为32位，168线可达到64位。
Bank （参照memory bank）－内存库 在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。
1、 在SDRAM内存模组上，bank 数表示该内存的物理存储体的数量。
（等同于行/Row） 2、 Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。
（现在通常是4个bank）。
3、 它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。
这里的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。
只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。
举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。
原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。
主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽。
Bank Schema －存储体规划 一种图解内存配置的方法。
存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。
行表示独立的插槽；列代表bank数。
Base Rambus －初级的Rambus内存 第一代的Rambus内存技术，1995年面市。
Baud －波特 1、 表示通讯速率的一种单位，等于每秒传输一个码元。
2、 在异步传输中，表示调制速率的一种单位，相当于每秒一个单位间隔。
BGA (Ball Grid Array)－球状引脚栅格阵列封装技术 这是最近几年开始流行的高密度表面装配封装技术。
在封装的底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。
目前的主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。
Binary －二进制 把数字或信息表示为若干bit的一种编码规则。
二进制（也叫base 2）中，所有数字都是由1和0这两个数字的组合来表示。
BIOS (Basic Input-Output System) －基本输入/输出系统 启动时自动加载的例行程序，用来为计算机的各种操作做准备。
Bit－位、比特 计算机所能处理信息的最小单位。
因为是二进制，所以一个bit的值不是1就是0。
BLP－底部引出塑封技术 新一代内存芯片封装技术，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP封装规范。
此类内存芯片不但高度和面积小，而且电气特性也得到了提高。
Buffer－缓冲区 一个用于存储速度不同步的设备或优先级不同的设备之间传输数据的区域。
通过缓冲区，可以使进程之间的相互等待变少，从而使从速度慢的设备读入数据时，速度快的设备的操作进程不发生间断。
Buffered Memory－带缓冲的内存 带有缓存的内存条。
缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。
带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。
电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。
BEDO (Burst EDO RAM) －突发模式EDO随机存储器 BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。
形象地说，它一次可以传输一批数据。
总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比，EDO内存速度是33MHz，FPM内存的速度是25MHz)。
Burst Mode－突发模式 当处理器向一个独立的地址发出数据请求时，引发的数据区块（连续的一系列地址）高速传输现象 Bus－总线 计算机的数据通道，由各种各样的并行电线组成。
CPU、内存、各种输入输出设备都是通过总线连接的。
Bus Cycle－总线周期 主存和CPU之间的一次数据交流。
Byte－字节 信息量的单位，每八位构成一个字节。
字节是一个用于衡量电脑处理信息量的常用的基本单位；几乎电脑性能和技术规格的各个方面都用字节数或其若干倍数来衡量（例如KB，MB）。
Cacheability－高速缓存能力 主板芯片组的高速缓存能力，是指主存能够被L2 Cache所高速缓存的最大值。
比方说，TX芯片组的主板由于L2 Cache对主存的映射（Mapping）的上限是64MB，所以当CPU读取64MB之后的内存时无法使用高速缓存，系统性能就无法提高了。
Cache Memory－高速缓存存储器 也叫cache RAM，在CPU旁边或附带在CPU上的一小块高速内存(一般少于 1M联系着CPU和系统内存。
Cache memory 为处理器提供最常用的数据和指令。
Level 1 cache也叫主高速缓存 (primary cache)， 是离CPU最近的高速缓存，容量只有8KB~6KB，但速度相当快。
Level 2 cache 也叫次高速缓存(secondary cache)，是离CPU第二近的高速缓存，通常焊接在主板上，容量一般为64KB~1MB，速度稍慢。
CAS (Column Address Strobe)－列地址选通脉冲 在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。
CL（CAS Latency ）－列地址选通脉冲时间延迟 CL反应时间是衡定内存的另一个标志。
CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。
一般的参数值是2和3两种。
数字越小，代表反应所需的时间越短。
在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。
因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。
CDRAM （Cache DRAM）－快取动态随机存储器 同EDRAM（Enhanced DRAM） Checksum－检验和，校验和 在数据处理和数据通信领域中，用于校验目的的一组数据项的和。
这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。
参考Parity（校验） Chipset－芯片组 把主存、AGP插槽、PCI插槽、ISA插槽连接到CPU的外部控制逻辑电路，通常是两个或两个以上的微芯片，故称做芯片组。
芯片组通常由几个控制器构成，这些控制器能够控制信息流在处理器和其他构件之间的流动方式。
Chip-Scale Package (CSP)－芯片级封装 薄芯片封装，其电路连接通常是采用BGA（球状引脚格状阵列）。
这种封装形式一般用于RDRAM（总线式动态内存）和 flash memory（闪存）。
Compact Flash－紧凑式闪存 一种结构轻小的存储器，用于可拆卸的存储卡。
CompactFlash 卡持久耐用，工作电压低，掉电后数据不丢失。
应用范围包括：数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机，以及录音设备。
Concurrent Rambus－并发式总线式内存 Rambus内存的第二代技术产品。
Concurrent Rambus内存一般用于图形工作站、数码电视、视频游戏机。
Continuity RIMM (C-RIMM)－连续性总线式内存模组 一种不带内存芯片的直接总线式内存模组（Direct Rambus）。
C-RIMM 为信号提供了一个连续的通道。
在直接总线式内存系统中，开放的连接器必须安装C-RIMM。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semicomductor）－互补金属氧化物半导体 用于晶体管的一种半导体技术，结合了N型与P型晶体管的优势，现在主要用于电脑芯片，如存储器、 处理器等。
CPU (Central Processing Unit)－中央处理单元 计算机芯片的一种，其主要职能是解释命令和运行程序。
CPU也叫处理器（processor）或微处理器（microprocessor）。
Credit Card Memory －信用卡内存 主要用于膝上型电脑和笔记本电脑的一种内存。
其外型尺寸犹如一个信用卡，因此而得名。
CSRAM 同Pentium II Xeron匹配的一种高速缓存，容量为512KB。
DDR(Double Data Rate SDRAM)－ 双数据输出同步动态存储器。
DDR SDRAM 从理论上来讲，可以把RAM的速度提升一倍，它在时钟的上升沿和下降沿都可以读出数据。
Desktop－台式机，桌上型电脑 Die－模子，芯片颗粒 DIME （Direct Memory Execution） 直接内存执行功能 DIMM（Dual-In line Memory Module）－双边接触内存模组 形象的说：内存条正反两面金手指是不导通的，如常见的有100线、168线、200线内存（long Dimm）和72线、144线（SO-Dimm）。
DIMM一般有64位带宽，并且正反面相同位置的引脚不同；而SIMM一般只有32位带宽，需要两条两条同时使用，一般通过72线金手指与主板相连。
Direct Rambus－直接总线式随机存储器 Rambus 技术的第三代产品，它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。
现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz；与此相对照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其数据传输速度可高达800MHz 。
DIP (Dual In-line Package)－双列直插式封装，双入线封装 DRAM 的一种元件封装形式。
DIP封装的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷电路板的小孔上。
在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。
DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高6六倍。
Direct RDRAM－直接总线式动态随机存储器 该设备的控制线和数据线分开，带有16位接口、带宽高达800 MHz，效率大于90% 。
一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ，数据传输率可达到1.6 GBps 。
它采用一个分离的8位总线（用于地址和控制信号），并拓宽了8到16位或9到18位数据通道，时钟达到400 MHz ，从而在每个针（pin）800Mbps的情况下（共计1.6 GBS）使可用数据带宽最大化。
DMA （Direct Memory Access）－直接内存存取 通常情况下，硬盘光驱等设备和内存之间的数据传输是由CPU来控制的。
但在DMA模式下，CPU只须向DMA控制器下达指令，让DMA控制器来处理数的传送，数据传送完毕再把信息反馈给CPU。
这样，CPU的负担减轻了，数据传输的效率也有所提高。
DRAM (Dynamic Random-Access Memory)－动态随机存储器 最为常见的系统内存。
DRAM 只能将数据保持很短的时间。
为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。
如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。
Dual Independent Bus (DI－双重独立总线 英特尔开发的一种总线结构，因为它通过两个分开的总线（前端总线和后端总线）访问处理器，所以DIB能提供更大的带宽。
奔腾II电脑就有DIB总线。
ECC（Error Correcting Code）－错误更正码，纠错码 ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。
ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。
通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit。
ECC另有一种解释是Error Checking & Correction ,既错误检查与更正。
带ECC的内存比普通SDRAM内存多1、2个芯片，价格很昂贵，一般用在工作站或服务器上。
EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)－扩展数据输出动态存储器 有的也叫Hyper Page Mode DRAM。
EDO的读取方式取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，从而提高了工作效率（约比传统的DRAM快15~30%）。
EDO内存一般为72线（SIMM），也有168线（DIMM），后者多用于苹果公司的Macintosh电脑上。
EDRAM (Enhanced DRAM)－增强型动态随机存储器 动态随机存储器的一种，内部集成2 或 8 Kbit静态随机存储器（SRAM，Static Random Access Memmory），用于缓存读取过的信息。
如果下次读取的数据在SRAM内，则直接输出以加快读取速度，否则再到DRAM内寻找。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) 电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。
一般用在即插即用（Plug & Play）接口卡中，用来存放硬件设置数据；防止软件非法拷贝的硬件锁上面也能找到它。
EISA (Extended ISA)－扩展工业标准结构 将附加卡（例如视频卡、内置式MODEM等）连接到PC机主板的一种总线标准。
EISA有一个32位的数据通道，使用能够接受ISA卡的连接器。
不过，EISA卡只能与EISA系统匹配。
EISA总线的操作频率比ISA高得多，并且能够提供比ISA快得多的数据吞吐率。
EMI （Electron-Magnetic Interference）－电磁干扰 任何产生电磁场的电子设备都会或多或少地产生噪声场，干扰其附近的电子设备，这种现象就叫做电磁干扰。
EMS（Expanded Memory Specification）－扩充内存规范 这是由AST、Intel、微软公司共同开发的一种能让DOS突破640KB寻址范围的规范，可以让DOS对640KB甚至1M之间的地址进行页面式的访问。
需要有专用的驱动管理程序支持，如 EOS (ECC on SIMM) IBM公司的一种数据完整性检测技术，它的一个明显特征就是在SIMM（单边接触内存模组）上带有检测数据完整性的ECC（自动检错码）芯片。
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)－可擦可编程只读存储器 一种可以重复利用的可编程芯片。
其内容始终不丢失，除非您用紫外线擦除它。
一般给EPROM 编程或擦除内容时，需要用专用的设备。
ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增强型同步动态内存 Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器。
在嵌入式系统中， ESDRAM代替了昂贵的SRAM （静态随机存储器），其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。
Even Parity－偶校验 一种来检测数据完整性的方法。
与奇校验相反，8个数据位与校验位加起来有偶数个1。
具体参考Odd Parity奇校验。
FCRAM (Fast-Cycle RAM)－快速周期随机存储器 东芝（Toshiba）和富士通（Fujitsu）公司正在开发的一种内存技术。
开发FCRAM 的目的不是用来做PC机的主存，而是用在某些特殊的设备：例如一些高端服务器、打印机，还有一些远程通讯的交换系统。
Fast-Page Mode－快速翻页模式 一种比较老的DRAM。
与比它还早的页面模式内存技术相比，它的优势是在访问同一行的数据时速度比较快。
Firmware－固件，韧件 简单地说，就是含有程序的存储器，负责管理所附装置的底层数据和资源。
Flash Memory－闪烁存储器，闪存 闪烁存储器在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，但是数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。
区块大小一般由256K到20MB。
FLASH这个词最初由东芝因为该芯片的瞬间清除能力而提出。
源于EPROM，闪存芯片价格不高，存储容量大。
闪存正在成为EPROM的替代品，因为它们很容易被升级。
闪存被用于PCMCIA卡，PCMCIA闪存盘，其它形式硬盘，嵌入式控制器和SMART MEDIA。
如果闪存或其它相关的衍生技术能够在一定的时间内清除一个字节，那将导致永久性的（不易失）RAM的到来。
Form Factor－形态特征 用来描述硬件的一些技术规格，例如尺寸、配置等。
比方说，内存的形态特征有：SIMM（单边）, DIMM（双边）, RIMM（总线式）, 30线, 72线, and 168线。
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)－快速翻页动态存储器 一种改良型的DRAM，一般为30线或72线内存。
若CPU所需的地址在同一行内，在送出行地址后，就可以连续送出列地址，而不必再输出行地址。
一般来讲，程序或数据在内存中排列的地址是连续的，那么输出行地址后连续输出列地址，就可以得到所需数据。
这和以前DRAM存取方式相比要先进一些（必须送出行地址、列地址才可读写数据）。
FSB (Frontside Bus)-前端总线 在CPU和内存之间的数据通道。
Gigabyte /GB－吉(咖)字节 约为10亿字节，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) 字节。
Gigabit /Gb－吉(咖)比特，吉位 约为10亿位，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) bit。
Heat Spreader－散热片 覆盖在电子设备上的用于散热的外壳，多为铝制品。
Heat Sink－散热片 CPU上常用的散热部件，一般为锌合金制造。
HY （Hyundai）－韩国现代电子公司 Hyper Page Mode DRAM 同EDO DRAM IC (Integrated Circuit)－集成电路 半导体芯片上的电路（有时也被称为芯片或微芯片）由成千上万个微小电阻、电容、晶体管组成。
半导体芯片通常封装在塑料或者陶瓷的外壳中，导线引脚露在外面。
特殊的IC 根据其作用可以分为线性芯片和数字芯片。
主要的内存IC厂商代号： 代 号 厂商英文名 厂商中文名 代 号 厂商英文名 厂商中文名 KM SamSung 三星 TC Toshiba 东芝 LH Sharp 夏普 MN Panasonic 松下 HM Hitachi 日立 HY Hyundai 现代 M5M Mitsubishi 三菱 GM LG_Semicon 金星 MCM Motorola 摩托罗拉 MSM OKI 冲电子 MT Micron 迈克龙 MB Fujitsu 富士通 TMS TI 德州仪器 AAA NMB 1 uPD NEC 日电 2 3 4 Interleaving －交叉存取技术 加快内存速度的一种技术。
举例来说，将存储体的奇数地址和偶数地址部分分开，这样当前字节被刷新时，可以不影响下一个字节的访问。
IT (Information Technology)－信息技术 IT行业，指与计算机、网络和通信相关的技术。
JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council） 电子元件工业联合会。
JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。
工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。
Kilobit －千位 约为一千位，准确数值是 210 (1,024) 位。
Kilobyte－千字节 约为一千字节，准确数值是 210 (1,024) 字节。
KingHorse－香港骏一电子公司 香港骏一电子集团有限公司始创于一九九四年一月，公司草创初期主要从事电脑机箱、电源、显示器、键盘、主机板等电脑配件在大陆的销售业务。
经过几年的整合，香港骏一以Kinghorse为品牌，专业从事台式计算机、笔记本、服务器、工作站以及计算机外围设备特种内存产品的研发、生产、销售，在香港及大陆均设有OEM厂家，并致力于中国信息产业的发展而努力。
Kingmax－胜创公司 成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企业（Commonwealth Magazine，May 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。
除台湾省内的机构之外，胜创科技在全球四大洲拥有9个办事处，公司在美国、中国、澳大利亚和荷兰拥有超过390名员工。
Kingston－金仕顿科技公司 金仕顿科技公司是一家设计和生产用于PC机、服务器、工作站、笔记本、路由器、打印机、和其他一些电子设备内存、处理器的公司。
该公司于1987年由杜纪川和孙大卫先生创立，现在已经发展成产品超过2000种、年销售额超过16亿美圆的公司。
Latch－锁存（数据） 锁存器：电子学中的一种电路,可维持所承担的位置或状态,直到由外部手段将其复位到它前一种状态。
SRAM就是用锁存器制作的。
L1 (Level 1 Cache) －一级高速缓存 也叫 primary cache，L1 Cache是在处理器上或离处理器最近的一小块高速存储器。
L1 Cache 为处理器提供最常用的数据和指令。
L2(Level 2 Cache)－二级高速缓存 也叫 secondary cache，L2 Cache 是离处理器较近（通常在主板上）的一小块高速存储器。
L2 Cache为处理器提供最常用的数据和指令。
在主板上的Level 2 cache 可以刷新、升级。
LGS （Goldstar）－金星 主要内存生产厂家 Logic Board－主板 同 Motherboard。
Mask ROM 生产固件时，先制造一颗含有原始数据的ROM作为模板，然后大批生产内容完全相同的ROM。
这种方法大批量生产的ROM就叫做Mask ROM MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK动态内存 MDRAM是MoSys公司开发的一种VRAM（视频内存），它把内存划分为32KB的一个个BANK（存储库），这些BANK可以单独访问，每个储存库之间以高于外部的数据速度相互连接。
其最大特色是具有高性能、低价位特性，最大传输率高达666MB/S，一般用于高速显卡。
Megabit －兆位 约为一百万位，准确数值是1,0242 (1,048,576)位。
Megabyte－兆字节 约为一百万字节，准确数值是1,0242 (1,048,576)字节。
Memory －存储器，记忆体，内存 一般指电脑的RAM（random access memory）随机存储器，其主要用途是读取程序和临时保存数据；最为常见的内存芯片是DRAM。
这一术语有时也用来指所有的用来存储数据的电子设备。
Memory Bank－存储体，〔记忆库〕 由一些地址相邻的存储单元组成的一种存储块，其大小由所在的计算机决定。
比方说，32位的CPU必须使用一次能提供32位信息的memory bank。
一个bank可能由一个或多个内存模组构成。
Memory Bus－内存总线 从CPU到内存扩展槽的数据总线。
Memory Controller Hub (MCH)－内存控制中心 Intel 8xx（例如820或840）芯片组中用于控制AGP、CPU、内存（RDRAM）等组件工作的芯片。
Memory Translator Hub (MTH)－内存转译中心 一种内存接口，通过它可以使Intel 820芯片组的主板的Direct Rambus 信道支持SDRAM内存。
Micro BGA (μBGA)－缩微型球状引脚栅格阵列封装 Tessera, Inc. 公司开发的的一种BGA 芯片封装技术，主要用于高频工作的RDRAM。
这种技术能把芯片尺寸做得更小，提高了散热性，使内存条的数据密度增大了。
MIT （Mitsubishi）－日本三菱公司 Motherboard－主板 也叫logic board、main board或 computer board，是计算机系统的主体部分。
电脑的CPU、内存、输入输出接口和扩展槽等大部分硬件都安装在主板上面。
Ms (millisecond) －毫秒 千分之一秒。
Multi-Way Interleaved 多重交错式内存存取结构，巫毒卡2代所采取的一种技术。
Nanosecond (ns)－纳秒,〔末秒,毫微秒〕 十亿分之一（10-9）秒。
内存的数据存取时间以纳秒为单位。
Nibble －半字节, 四位字节 Non-Composite 苹果电脑的内存术语，表示一种采用了新技术的内存条。
该内存条上的芯片颗粒很少，但数据密度却非常高。
Non-composite 内存条比 composite 内存条工作更可靠，但价格也相对很高。
Odd Parity－奇校验 校核数据完整性的一种方法，一个字节的8个数据位与校验位（parity bit ）加起来之和有奇数个1。
校验线路在收到数后，通过发生器在校验位填上0或1，以保证和是奇数个1。
因此，校验位是0时，数据位中应该有奇数个1；而校验位是1时，数据位应该有偶数个1。
如果读取数据时发现与此规则不符，CPU会下令重新传输数据。
Page mode－页面模式 现在该技术已经被淘汰。
在页面模式下，每次访问DRAM的同一行的每一列时，都会十分迅速。
（参考FPM） Parity：（Even / Odd）－奇偶校验 也叫Parity Check，在每个字节（Byte）上加一个数据位（Data Bit）对数据进行检查的一种冗余校验法。
它是根据二进制字节中的0或1的数目是奇数还是偶数来进行校验的。
在二进制字节中增加了一个附加位，用来表示该字节中的0或1的数目是奇数还是偶数。
经过传输或存储后，再计算一次校验和（Checksum），如果与附加位一致，证明传输或存储中没有错误。
奇偶校验位主要用来检查其它8位（1 Byte）上的错误，但是它不象ECC（Error Correcting Code错误更正码），parity只能检查出错误而不能更正错误。
奇偶校验的致命弱点是检查出错误后无法断定错在哪一位，容易死机，所以现在很少用了。
取而代之的是ECC。
PB-SRAM （Pipelined Burst SRAM）－管道突发式静态内存 属于Level 2 Cache，多用于486后期及Pentium以上的主板。
PC100 JEDEC 和Intel制定的一种SDRA
IC封装术语的BQFP
2、BQFP(quad flat packagewith bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pingrid array)表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。
带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。
在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。
带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。
散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W 的功率。
但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。
引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多种规格。
引脚数从32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chipcarrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。
此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
8、COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。
9、DFP(dual flat package)双侧引脚扁平封装。
是SOP 的别称(见SOP)。
以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、DIC(dual in-line ceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).11、DIL(dual in-line)DIP 的别称(见DIP)。
欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dual in-line package)双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。
封装宽度通常为15.2mm。
有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。
但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。
另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
13、DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。
SOP 的别称(见SOP)。
部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dual tape carrierpackage)双侧引脚带载封装。
TCP(带载封装)之一。
引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。
由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。
常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。
另外，0.5mm厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。
在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。
15、DIP(dual tape carrierpackage)同上。
日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
16、FP(flat package)扁平封装。
表面贴装型封装之一。
QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。
部分半导体厂家采用此名称。
17、flip-chip倒焊芯片。
裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。
封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。
是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。
但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。
因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flatpackage)小引脚中心距QFP。
通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。
部分导导体厂家采用此名称。
19、CPAC(globe top pad arraycarrier)美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
20、CQFP(quad fiat packagewith guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。
塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。
在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。
这种封装在美国Motorola 公司已批量生产。
引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右。
21、H-(with heat sink)表示带散热器的标记。
例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
22、pin grid array(surfacemount type)表面贴装型PGA。
通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。
表面贴装型PGA 在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。
贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。
因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。
封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。
以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、JLCC(J-leaded chipcarrier)J 形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。
部分半导体厂家采用的名称。
24、LCC(Leadless chip carrier)无引脚芯片载体。
指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。
是高速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。
25、LGA(land grid array)触点陈列封装。
即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。
装配时插入插座即可。
现已实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI 电路。
LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。
另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI 是很适用的。
但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。
预计今后对其需求会有所增加。
26、LOC(lead on chip)芯片上引线封装。
LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。
与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
27、LQFP(low profile quad flatpackage)薄型QFP。
指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
28、L－QUAD陶瓷QFP 之一。
封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。
封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。
是为逻辑LSI 开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。
现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚(0.65mm中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chip module)多芯片组件。
将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。
MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。
布线密度不怎么高，成本较低。
MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。
两者无明显差别。
布线密度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。
布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)小形扁平封装。
塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。
部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP(metric quad flatpackage)按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。
指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm的标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metal quad)美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。
基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。
在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。
日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。
33、MSP(mini square package)QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。
QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
34、OPMAC(over molded padarray carrier)模压树脂密封凸点陈列载体。
美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见BGA)。
35、P－(plastic)表示塑料封装的记号。
如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
37、PCLP(printed circuit boardleadless package)印刷电路板无引线封装。
日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。
引脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。
目前正处于开发阶段。
38、PFPF(plastic flat package)塑料扁平封装。
塑料QFP 的别称(见QFP)。
部分LSI 厂家采用的名称。
39、PGA(pin grid array)陈列引脚封装。
插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。
封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。
在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑LSI 电路。
成本较高。
引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。
了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。
也有64～256 引脚的塑料PGA。
另外，还有一种引脚中心距为1.27mm的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。
(见表面贴装型PGA)。
40、piggy back驮载封装。
指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN 相似。
在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。
例如，将EPROM 插入插座进行调试。
这种封装基本上都是定制品，市场上不怎么流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)带引线的塑料芯片载体。
表面贴装型封装之一。
引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。
美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，现在已经普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。
引脚中心距1.27mm，引脚数从18 到84。
J 形引脚不易变形，比QFP 容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。
PLCC 与LCC(也称QFN)相似。
以前，两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷。
但现在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PCLP、P－LCC 等)，已经无法分辨。
为此，日本电子机械工业会于1988 年决定，把从四侧引出J 形引脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic Leadless chipcarrier)(plastic leaded chip currier)有时候是塑料QFJ 的别称，有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。
部分LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装，用P－LCC 表示无引线封装，以示区别。
43、QFH(quad flat highpackage)四侧引脚厚体扁平封装。
塑料QFP 的一种，为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得较厚(见QFP)。
部分半导体厂家采用的名称。
44、QFI(quad flat I-leadedpackgac)四侧I 形引脚扁平封装。
表面贴装型封装之一。
引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字。
也称为MSP(见MSP)。
贴装与印刷基板进行碰焊连接。
由于引脚无突出部分，贴装占有面积小于QFP。
日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。
此外，日本的Motorola 公司的PLL IC也采用了此种封装。
引脚中心距1.27mm，引脚数从18 于68。
45、QFJ(quad flat J-leadedpackage)四侧J 形引脚扁平封装。
表面贴装封装之一。
引脚从封装四个侧面引出，向下呈J 字形。
是日本电子机械工业会规定的名称。
引脚中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷两种。
塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC)，用于微机、门陈列、DRAM、ASSP、OTP 等电路。
引脚数从18 至84。
陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。
带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机芯片电路。
引脚数从32 至84。
46、QFN(quad flat non-leadedpackage)四侧无引脚扁平封装。
表面贴装型封装之一。
现在多称为LCC。
QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。
封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度比QFP低。
但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。
因此电极触点难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右。
材料有陶瓷和塑料两种。
当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。
电极触点中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。
电极触点中心距除1.27mm外，还有0.65mm和0.5mm两种。
这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)四侧引脚扁平封装。
表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。
基材有陶瓷、金属和塑料三种。
从数量上看，塑料封装占绝大部分。
当没有特别表示出材料时，多数情况为塑料QFP。
塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。
不仅用于微处理器，门陈列等数字逻辑LSI 电路，而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。
引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多种规格。
0.65mm中心距规格中最多引脚数为304。
日本将引脚中心距小于0.65mm的QFP 称为QFP(FP)。
但现在日本电子机械工业会对QFP的外形规格进行了重新评价。
在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为QFP(2.0mm～3.6mm厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm厚)三种。
另外，有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。
但有的厂家把引脚中心距为0.65mm及0.4mm的QFP 也称为SQFP，至使名称稍有一些混乱。
QFP 的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm时，引脚容易弯曲。
为了防止引脚变形，现已出现了几种改进的QFP 品种。
如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP)；带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。
在逻辑LSI 方面，不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。
引脚中心距最小为0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。
此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqad)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。
日本电子机械工业会标准所规定的名称。
指引脚中心距为0.55mm、0.4mm、0.3mm 等小于0.65mm的QFP(见QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramicpackage)陶瓷QFP 的别称。
部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
50、QIP(quad in-line plasticpackage)塑料QFP 的别称。
部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
51、QTCP(quad tape carrierpackage)四侧引脚带载封装。
TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。
是利用TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrierpackage)四侧引脚带载封装。
日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用的名称(见TCP)。
53、QUIL(quad in-line)QUIP 的别称(见QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)四列引脚直插式封装。
引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。
引脚中心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。
因此可用于标准印刷线路板。
是比标准DIP 更小的一种封装。
日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装。
材料有陶瓷和塑料两种。
引脚数64。
55、SDIP (shrink dual in-linepackage)收缩型DIP。
插装型封装之一，形状与DIP 相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm)，因而得此称呼。
引脚数从14 到90。
也有称为SH－DIP 的。
材料有陶瓷和塑料两种。
56、SH－DIP(shrink dual in-linepackage)同SDIP。
部分半导体厂家采用的名称.57、SIL(single in-line)SIP 的别称(见SIP)。
欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
58、SIMM(single in-line memorymodule)单列存贮器组件。
只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。
通常指插入插座的组件。
标准SIMM 有中心距为2.54mm的30 电极和中心距为1.27mm的72 电极两种规格。
在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。
至少有30～40%的DRAM 都装配在SIMM 里。
59、SIP(single in-linepackage)单列直插式封装。
引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。
当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。
引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23，多数为定制产品。
封装的形状各异。
也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。
60、SK－DIP(skinny dual in-linepackage)DIP 的一种。
指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm的窄体DIP。
通常统称为DIP(见DIP)。
61、SL－DIP(slim dual in-linepackage)DIP 的一种。
指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm的窄体DIP。
通常统称为DIP。
62、SMD(surface mount devices)表面贴装器件。
偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。
63、SO(small out-line)SOP 的别称。
世界上很多半导体厂家都采用此别称。
(见SOP)。
64、SOI(small out-lineI-leaded package)I 形引脚小外型封装。
表面贴装型封装之一。
引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心距1.27mm。
贴装占有面积小于SOP。
日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。
引脚数26。
65、SOIC(small out-lineintegrated circuit)SOP 的别称(见SOP)。
国外有许多半导体厂家采用此名称。
66、SOJ(Small Out-LineJ-Leaded Package)J 形引脚小外型封装。
表面贴装型封装之一。
引脚从封装两侧引出向下呈J 字形，故此得名。
通常为塑料制品，多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路，但绝大部分是DRAM。
用SOJ封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。
引脚中心距1.27mm，引脚数从20 至40(见SIMM)。
67、SQL(Small Out-LineL-leaded package)按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。
68、SONF(Small Out-LineNon-Fin)无散热片的SOP。
与通常的SOP 相同。
为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别，有意增添了NF(non-fin)标记。
部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。
69、SOF(small Out-Linepackage)小外形封装。
表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。
材料有塑料和陶瓷两种。
另外也叫SOL 和DFP。
SOP 除了用于存储器LSI 外，也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。
在输入输出端子不超过10～40 的领域，SOP 是普及最广的表面贴装封装。
引脚中心距1.27mm，引脚数从8～44。
另外，引脚中心距小于1.27mm的SOP 也称为SSOP；装配高度不到1.27mm的SOP 也称为TSOP(见SSOP、TSOP)。
还有一种带有散热片的SOP。
70、SOW (Small OutlinePackage(Wide-Jype))宽体SOP。
部分半导体厂家采用的名称
